Модуль памяти OCZ OCZ3G1866LV6GK

Модуль памяти OCZ OCZ3G1866LV6GK

Главные особенности модуля памяти OCZ OCZ3G1866LV6GK

DDR3 1866 DIMM 240-контактный, 3×2 Гб, 1.65 В, CL 10

Технические свойства модуля памяти OCZ OCZ3G1866LV6GK

Форм-фактор: DIMM 240-контактный
Объем: 3 модуля по 2 Гб
Тип памяти: DDR3
Тактовая частота: 1866 МГц
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
CAS Latency (CL): 10
RAS to CAS Delay (tRCD): 10
Row Precharge Delay (tRP): 10
Activate to Precharge Delay (tRAS): 28
Напряжение питания: 1.65 В
Радиатор: есть

Похожие материалы раздела: Вы можете оставить комментарий, или Трекбэк с вашего сайта.

Оставить комментарий

Вы должны Войти, чтобы оставить комментарий.